高純鎢濺射靶材 高純鎢濺射靶材可用于制作半導(dǎo)體芯片層間通孔（Via）和接觸孔（Contact）的填充物，即鎢塞(WPlug)。牌號純度(wt%)密度(%)晶粒度(μm)尺寸(max.mm)粗糙度RaHW4N599.995≥19.1850?450×10≤1.6HW5N99.9
高純鎢濺射靶材
高純鎢濺射靶材可用于制作半導(dǎo)體芯片層間通孔（Via）和接觸孔（Contact）的填充物，即鎢塞(WPlug)。
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牌號 |
純度(wt%) |
密度(%) |
晶粒度(μm) |
尺寸(max.mm) |
粗糙度Ra |
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HW4N5 |
99.995 |
≥19.18 |
50 |
?450×10 |
≤1.6 |
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HW5N |
99.999 |
≥19.18 |
50 |
?450×10 |
≤1.6 |
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